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新闻

November 16, 2020
Opto Diode Corporation, an ITW company, announces an ultraviolet-enhanced detector featuring a 5.5 mm diameter active area, the UVG20S. The photodiode is ideal for UV detection between 190 nm to 400 nm spectral wavelengths with a full spectrum of 190 nm out to 1000 nm.
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October 4, 2020
光电二极管宣布砷化铝镓(GaAlAs) near-infrared (IR) LED illuminator with ultra-high-power output, the OD-663-850. Specially designed for use in surveillance and night vision applications, the device has a very uniform optical beam with a peak emission wavelength of 850 nm.
2020年8月20日
Opto Diode announces the OD-110WISOLHT, a high-temperature, wide-angle infrared light-emitting diode (IRLED) specially designed for high-temperature applications, such as covert exterior aircraft lighting.
7月13日,2020年
光电二极管引入OD-110LISOLHT,高功率,镓铝砷(Gaalas)红外发光二极管(IRLED)发光器。具有狭窄的发射角度和宽温度等级,新的IR发射器非常适合工业和防御/军事任务的应用,例如在飞机上的外部隐蔽照明。bob网美发
2020年6月17日
光电二极管引入UVG5S,紫外线增强光电二极管,5毫米2圆形活性区域。新设备是225nm和400nm之间检测的理想选择,并且在暴露于7000J / cm后的响应降级小于2%的特征2在254纳米。
5月28日,2020年
光电二极管引入SXUV5,极端紫外(EUV)光电二极管,圆形有源面积为2.5mm。新器件在1nm至190nm波长区域中具有优异的响应度,并且在暴露于高强度EUV能量时,特别设计成高度稳定的时间。
2020年4月13日
光电二极管宣布AXUV576C,一个大型光电二极管,576.5毫米2专为电子和辐射检测设计的有源区。
3月25日,2020年3月25日
光电二极管宣布AXUV300C,一个大型矩形光电二极管,大331毫米2矩形有源区域用于电子检测。
December 11, 2018
光电二极管宣布新的高速光电探测器,AXUV63HS1。圆形有效面积为9毫米(通常为63毫米)2),光电二极管是电子检测的理想选择。
2018年11月7日
光电二极管宣布AXUV20HS1,高速,5毫米2circular photodiode for radiation detection.
September 13, 2018
光电二极管宣布5毫米2用于辐射检测的圆形bob网下载光电二极管。
2018年7月18日
光电二极管宣布极端紫外线,直接沉积的薄膜滤光片过滤光电二极管,用于科学应用。bob网美发bob网下载
December 11, 2017
Opto Diode introduces 13.5 nm directly-deposited thin-film filter photodetectors.
2017年10月16日
Opto Diode presents BXT2-17TF - two-stage, cooled, packaged infrared detector.
2017年3月30日
Opto Diode’s new NXIR-5C, red to near-infrared enhanced surface-mount photodiode.
2017年1月30日
Opto Diode introduces near-infrared, surface-mount detector.
2017年1月17日
光电二极管引入深红色表面贴装LED。
2016年10月10日
光电二极管引入低噪声,极端紫外(EUV)光电探测器。
2016年1月12日
光电二极管推出近红外探测器系列。
September 21, 2015
光电二极管引入宽温度范围红外发射器
August 18, 2015
Opto Diode introduces UVG12 - 13 mm2photodiode.
2015年7月6日
光电二极管推出了高功率的Gaalas近红外发射器。
January 13, 2015
Opto Diode introduces CalSensors’ SCD-B infrared detectors.
2014年12月15日
光电二极管推出SXUV300C 331mm2Photodiode
2014年11月17日
光电二极管的新象限光电二极管5 mm2- SXUVPS4
2014年9月25日
Opto Diode’s New High Speed Ø5 mm Photodiode - SXUV20HS1
August 14, 2014
光电二极管推出SXUV5Ø2.5mm光电二极管
2014年2月24日
光电二极管推出UV / EUV连续位置传感器
2014年1月6日
光电二极管推出10毫米2光电二极管 - SXUV100
2013年11月18日
光电二极管的新象限光电二极管5 mm2- SXUVPS4C
2013年10月8日
Opto Diode’s New Radiation-Hard Photodiodes for Electron Detection - UVG20C
2013年9月12日
Opto Diode推出了100 mm的uvg100光电二极管2活动区域
2013年8月21日
光电二极管推出了高功率光输出IRLED照明器
2013年7月10日
光电二极管推出了20元件光电二极管,用于电子检测和电汇
2013年5月13日
Opto Diode’s New16-Element Photodiode for Electron Detection
2012年7月23日
Opto Diode’s Introduces Surface Mount Photodiode
July 13, 2012
Opto二极管的介绍表面贴装光电二极管与日光滤波器
2012年4月11日
光电二极管的新型超高光输出IR发射器
2012年3月19日
光电二极管宣布超高功率IR发射器
2012年1月24日
Opto Diode’s New, Medium Emission Angle, High-Power IR LED
2012年1月23日
光电二极管推出大功率,窄角IR发射器
2012年1月19日
光电二极管推出广泛发射,大功率IR LED
2011年10月24日
光电二极管提供具有高稳定性的先进的紫外线和极端紫外线光电二极管bob网下载
2011年2月10日
光电二极管为太阳频谱研究引入绝对X射线光电二极管bob网下载
January 10, 2011
Opto Diode Announces Acquisition of International Radiation Detectors, Inc.
December 23, 2010
光电二极管提供定制,高质量的LED,在美国制造
2010年7月7日
光电二极管推出高功率,30芯,红外LED阵列
January 11, 2010
光电二极管推出新的OD-624L高输出红色LED
2009年11月30日
Opto Diode Introduces New OD-469L High Output Blue LCDs
5月26日,2009年5月26日
光电二极管的新选择波长光电二极管 - 适用于汽车应用bob网美发bob网下载
2008年10月23日
光电二极管推出新的蓝色/绿色增强型硅光电二极管前置放大器
September 3, 2008
光电二极管提供新的6毫米2Silicon Photodiode Preamp Combo
2008年6月18日
Opto Diode Introduces New Blue/Green Enhanced Silicon Photodiode-Preamplifier
February 20, 2008
光电二极管引入较低的噪声,NIR / RED增强,光电二极管前置放大器
2008年1月16日
Opto Diode Introduces New NIR Photodiode Preamp Combo
2007年3月16日
光电二极管推出新的Bi-Cell光电二极管
2005年5月23日
Opto二极管现在发货60芯片LED阵列